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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NK60Z-1
STMicroelectronics
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1 | N-channel 600 V, 1 Ω typ., 6 A SuperMESH Power MOSFETs in I²PAK, D²PAK, TO-220 and TO-220FP packages | Other | STB6NK60Z-1 |
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STB6NK60ZT4
STMicroelectronics
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1 | N-channel 600 V, 1 Ω typ., 6 A SuperMESH Power MOSFETs in I²PAK, D²PAK, TO-220 and TO-220FP packages | Other | STB6NK60ZT4 |
2
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STB6N60M2
STMicroelectronics
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1 | N‑channel 600 V, 1.06 Ω typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a D²PAK and DPAK packages | Other | STB6N60M2 |
3
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STB6NK90ZT4
STMicroelectronics
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1 | N-channel 900 V, 1.56 Ω typ., 5.8 A SuperMESH Power MOSFET in D²PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages | Other | STB6NK90ZT4 |
2
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STB6N80K5
STMicroelectronics
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1 | N-channel 800 V, 1.3 Ω typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFETs in a D²PAK package | Other | STB6N80K5 |
2
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STB6NM60N
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 600V, 0.92ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6NM60N |
0
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STB6N62K3
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 620V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6N62K3 |
0
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STB6NC90Z-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB6NC90Z-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NC90Z
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB6NC90Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6N52K3
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 525V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6N52K3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NK60Z
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB6NK60Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NC90ZT4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB6NC90ZT4 |
0
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STB6N65M2
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 1.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6N65M2 |
0
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STB6NB50
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6NB50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NC60-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB6NC60-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NB50-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB6NB50-1 |
0
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STB6NC80ZT4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 800V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6NC80ZT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NA80-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 800V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB6NA80-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NA60T4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6NA60T4 |
0
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STB6NB90T4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6NB90T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NK90Z
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB6NK90Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NA80
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 800V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6NA80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NA60
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6NA60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NC80Z-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 800V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB6NC80Z-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB6NB90
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB6NB90 |
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