Showing 4 of 4 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIA110DJ-T1-GE3
Vishay
|
1 | SiA110DJ-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 12 A, 100 V TrenchFET, 6-Pin SC-70 Vishay Siliconix | Other | SIA110DJ-T1-GE3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SIA112LDJ-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 100V, 0.119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA112LDJ-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI-A1125/500-6
Diotec Semiconductor AG
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 3200V V(RRM), Silicon | SI-A1125/500-6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI-A1125/500-6
SEMIKRON
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 3000V V(RRM), Silicon | SI-A1125/500-6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||