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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIT8944BMT33-18SA37.000000
SiTime
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1 | 1 – 110 MHz, -55 to 125°C, Endura™ Series Oscillator | Other | SIT8944BMT33-18SA37.000000 |
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2200HT-331-V-RC
Bourns
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1 | Fixed Inductors 330uH 15% Vertical | Other | 2200HT-331-V-RC |
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ST72T331N4B6
STMicroelectronics
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1 | 8-BIT MCU WITH 8 TO 16K OTP/EPROM, 256 EEPROM, 384 TO 512 BYTES RAM, ADC, WDG, SCI, SPI AND 2 TIMERS | Dual-In-Line Packages | ST72T331N4B6 |
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70T3319S133BFGI8
Renesas Electronics
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1 | The 70T3319 is a high-speed 256K x 18 bit synchronous Dual-Port RAM that has been optimized for applications having unidirectional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature, controlled by CE0 and CE1, permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode. The 70T3319 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply for the core of the device (VDD) is at 2.5V. | BGA | 70T3319S133BFGI8 |
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1 | Inductors for power circuits, Wound ferrite | Other | SLF12555T-331MR59 |
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1 | TDK SLF Series Shielded Wire-wound SMD Inductor with a Ferrite Core, 330 μH ±20% Wire-Wound 1A Idc | Other | SLF12555T-331MR59-PF |
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1 | Inductor for power circuits | Other | CLF10040T-331M-CA |
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1 | Chip Varistors / Ceramic Transient Voltage Suppressors, Maximum continuous voltage [DC]=3.5V, Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=14V | Varistors Chip | AVRM0603C6R8NT331N |
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1 | SMD / SMT Inductors (Coils), L=330?H, L x W x T : | Other | SLF7032T-331MR22-2PF |
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VZT331M1HTR-1010
Lelon
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1 | Aluminium Electrolytic Capacitors - SMD 330uF 20% 50V Ultra Low ESR | Capacitor Al Electrolytic | VZT331M1HTR-1010 |
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NS10145T331MNVV
TAIYO YUDEN
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1 | Fixed Inductors 330uH 20% 0.71A 0.7ohm AEC-Q200 | Inductors Precision Moulded | NS10145T331MNVV |
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LB3218T331MV
TAIYO YUDEN
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1 | Fixed Inductors 1207 330uH 9.1ohms 20% 65mA | Inductors Chip | LB3218T331MV |
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70T3319S166BC8
Renesas Electronics
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1 | The 70T3319 is a high-speed 256K x 18 bit synchronous Dual-Port RAM that has been optimized for applications having unidirectional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature, controlled by CE0 and CE1, permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode. The 70T3319 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply for the core of the device (VDD) is at 2.5V. | BGA | 70T3319S166BC8 |
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1 | SMD / SMT Inductors (Coils), L=330?H, L x W x T : | Other | SLF7045T-331MR35-H |
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70T3319S166BFG
Renesas Electronics
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1 | The 70T3319 is a high-speed 256K x 18 bit synchronous Dual-Port RAM that has been optimized for applications having unidirectional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature, controlled by CE0 and CE1, permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode. The 70T3319 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply for the core of the device (VDD) is at 2.5V. | BGA | 70T3319S166BFG |
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XC6223T331GR-G
Torex
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1 | LDO Voltage Regulators 300mA High Speed LDO Regulator | Small Outline No-lead | XC6223T331GR-G |
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70T3319S133BF
Renesas Electronics
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1 | The 70T3319 is a high-speed 256K x 18 bit synchronous Dual-Port RAM that has been optimized for applications having unidirectional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature, controlled by CE0 and CE1, permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode. The 70T3319 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply for the core of the device (VDD) is at 2.5V. | BGA | 70T3319S133BF |
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1 | SMD / SMT Inductors (Coils), L=330?H, L x W x T : | Other | SLF12565T-331MR87-H |
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1 | Inductors for power circuits, Wound ferrite, Automotive | Other | SLF10145T-331MR54 |
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70T3319S133BF8
Renesas Electronics
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1 | The 70T3319 is a high-speed 256K x 18 bit synchronous Dual-Port RAM that has been optimized for applications having unidirectional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature, controlled by CE0 and CE1, permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode. The 70T3319 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply for the core of the device (VDD) is at 2.5V. | BGA | 70T3319S133BF8 |
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1 | TDK CLF-NI-D Series Shielded Wire-wound SMD Inductor with a Ferrite Core, 330 μH ±20% Wire-Wound | Other | CLF12577NIT-331M-D |
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NLV32T-331J-PF
TDK
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1 | TDK TDK 1210 NLV Series Wire-wound SMD Inductor 330 μH ±5% 40mA Idc Q:20 | Inductor Moulded | NLV32T-331J-PF |
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NLV32T-331J-PFD
TDK
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1 | Fixed Inductors 330uH 34ohms 40mA 3.2x2.5mm AEC-Q200 | Inductor Moulded | NLV32T-331J-PFD |
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NLCV32T-331K-PF
TDK
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1 | TDK Type 1210 Wire-wound SMD Inductor 330 µH ±10% Wire-Wound 70mA Idc Q:20 | Inductor Moulded | NLCV32T-331K-PF |
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NLFV32T-331K-EF
TDK
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1 | TDK - NLFV32T-331K-EF - High Frequency Inductor, 330 µH, NLFV Series, 35 mA, 1210 [3225 Metric], Shielded, 6.8 ohm | Inductor Moulded | NLFV32T-331K-EF |
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