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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK100E10N1
Toshiba
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1 | Toshiba TK100E10N1 N-channel MOSFET Transistor, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 | Other | TK100E10N1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK100E10N1,S1X
Toshiba
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1 | Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 100 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA) | Transistor Outline, Vertical | TK100E10N1,S1X |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||