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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK4P60DA
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 600 V, 2.2 Ω@10V, DPAK, π-MOSⅦ | Other | TK4P60DA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK4P60D,RQ
Toshiba
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1 | Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ | Other | TK4P60D,RQ |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK4P60D
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 600 V, 1.7 Ω@10V, DPAK, π-MOSⅦ | Other | TK4P60D |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK4P60DB
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 600 V, 2.0 Ω@10V, DPAK, π-MOSⅦ | Other | TK4P60DB |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK4P60DB(T6RSS-Q)
Toshiba
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1 | MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm | Other | TK4P60DB(T6RSS-Q) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK4P60D,RQ(S
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK4P60D,RQ(S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK4P60DB(T6RDV,Q,S)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | TK4P60DB(T6RDV,Q,S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK4P60DA(T6RDVQS
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | TK4P60DA(T6RDVQS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||