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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK65G10N1
Toshiba
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1 | TK65G10N1 N-Channel MOSFET, 136 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Toshiba | Other | TK65G10N1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK65G10N1,RQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK65G10N1,RQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK65G10N1,RQ(S
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK65G10N1,RQ(S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGTH50TK65GC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGTH50TK65GC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGTV00TK65GVC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGTV00TK65GVC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGTH40TK65GC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGTH40TK65GC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGW80TK65GVC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGW80TK65GVC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGTH00TK65GC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGTH00TK65GC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGW60TK65GVC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGW60TK65GVC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGTV60TK65GVC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGTV60TK65GVC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGTH60TK65GC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGTH60TK65GC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGTH80TK65GC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGTH80TK65GC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGTV80TK65GVC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGTV80TK65GVC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGW00TK65GVC11
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel | RGW00TK65GVC11 |
0
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