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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8408,LQ(S
Toshiba
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1 | MOSFET N and P Ch 40V FET 6.1A 1.5W 850pF | Small Outline Packages | TPC8408,LQ(S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8407,LQ(S
Toshiba
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1 | MOSFETs Silicon P-/N-Channel MOS | Small Outline Packages | TPC8407,LQ(S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8405
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8405 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8402
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8402 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8408,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 40V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8408,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8404
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 250V, 1.7ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8404 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8403
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.046ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8403 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8405(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8405(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8407
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8407 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8406-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8406-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8401
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8401 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8406-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8406-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8408
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 40V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8408 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8407(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8407(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8407(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8407(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8401(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8401(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8403TE12L
Toshiba America Electronic Components
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0 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.09ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8403TE12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8406-H(TE12LQ,M)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8406-H(TE12LQ,M) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8403(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,4.5A I(D),SO | TPC8403(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8405(TE12L.Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8405(TE12L.Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8402(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8402(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||