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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R803PL,LQ
Toshiba
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1 | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | Other | TPH4R803PL,LQ |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R50ANH1,LQ
Toshiba
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1 | MOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm | Other | TPH4R50ANH1,LQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R003NL,L1Q
Toshiba
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1 | Trans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R | Other | TPH4R003NL,L1Q |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R50ANH,L1Q
Toshiba
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1 | MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET | Other | TPH4R50ANH,L1Q |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R10ANL,L1Q
Toshiba
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1 | MOSFET U-MOSVIII-H 100V 92A 75nC MOSFET | Other | TPH4R10ANL,L1Q |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R10ANL
Toshiba
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1 | MOSFET U-MOSVIII-H 100V 92A 75nC MOSFET | Other | TPH4R10ANL |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R008NH1,LQ
Toshiba
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1 |
Power MOSFET (N-ch single 60V |
Other | TPH4R008NH1,LQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R008NH,L1Q
Toshiba
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1 | MOSFET U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET | Other | TPH4R008NH,L1Q |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R008QM,LQ
Toshiba
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1 | MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8 | Other | TPH4R008QM,LQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R50ANH(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R50ANH(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R50ANH,L1Q(M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R50ANH,L1Q(M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R50ANH(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R50ANH(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R008NH,LQ(M1
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | TPH4R008NH,LQ(M1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R008QM
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 80V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R008QM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R008QM,LQ(M1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 80V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R008QM,LQ(M1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R606NH(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R606NH(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R606NH(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R606NH(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R50ANH1,LQ(M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R50ANH1,LQ(M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R606NH(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R606NH(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R50ANH(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R50ANH(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R008NH
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 80 V, 0.004 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | TPH4R008NH |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R803PL
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0048 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H | TPH4R803PL |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R50ANH(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R50ANH(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R606NH(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R606NH(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH4R304NC
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH4R304NC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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