Showing 12 of 12 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH7R006PL,L1Q
Toshiba
|
1 | MOSFET N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W | Other | TPH7R006PL,L1Q |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R506NH,L1Q
Toshiba
|
1 | Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV MOQ=3000 PD=45W F=1MHZ | Other | TPH7R506NH,L1Q |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R204PL,LQ
Toshiba
|
1 | MOSFET N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W | Other | TPH7R204PL,LQ |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R204PL,LQ(S
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 40V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH7R204PL,LQ(S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R506NH,L1Q(M
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH7R506NH,L1Q(M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R506NH(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH7R506NH(TE12L1,Q) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R006PL
Toshiba
|
1 | N-ch MOSFET, 60 V, 0.007 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H | TPH7R006PL |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R506NH
Toshiba
|
1 | N-ch MOSFET, 60 V, 0.0075 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | TPH7R506NH |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R506NH(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH7R506NH(TE12L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R506NH(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH7R506NH(TE12L,Q) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R506NH(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH7R506NH(TE12L1) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPH7R204PL
Toshiba
|
1 | N-ch MOSFET, 40 V, 0.0072 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H | TPH7R204PL |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||