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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R008NH,L1Q
Toshiba
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1 | Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV MOQ=3000 PD=61W F=1MHZ | Other | TPH8R008NH,L1Q |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R808QM,LQ
Toshiba
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1 | MOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm | Other | TPH8R808QM,LQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R808QM
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, SOP Advance(N), U-MOSⅧ-H | TPH8R808QM |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R80ANH(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R80ANH(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R80ANH(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R80ANH(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R008NH(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R008NH(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R903NL(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R903NL(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R903NL
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0089 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | TPH8R903NL |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R808QM
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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0 | N-ch MOSFET, 80 V, 52 A, 0.0088 Ω@10V, SOP Advance(N) | TPH8R808QM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R008NH(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R008NH(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R008NH(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R008NH(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R80ANH(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R80ANH(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R903NL(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R903NL(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R903NL(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R903NL(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R903NL,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R903NL,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R008NH(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R008NH(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R80ANH,L1Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R80ANH,L1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R903NL(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R903NL(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R80ANH(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R80ANH(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R80ANH
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 100 V, 0.0088 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | TPH8R80ANH |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R008NH
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 80 V, 0.008 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | TPH8R008NH |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTPH8R2M20B2TF
NIC Components Corp
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1 | Tantalum Capacitor, Tantalum (solid Polymer) | NTPH8R2M20B2TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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