Showing 8 of 8 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UF4SC120009K4SH
onsemi
|
1 | Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET - EliteSiC, Power N-Channel, TO-247-4L, 1200 V, 9.1 mohm | Other | UF4SC120009K4SH |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF4SC120023K4S
onsemi
|
1 | N-Channel 1200 V 53A (Tc) 385W (Tc) Through Hole TO-247-4 | Other | UF4SC120023K4S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF4SC120030K4S
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Other | UF4SC120030K4S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF4SC120030B7S
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Other | UF4SC120030B7S |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF4SC120023K4S
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 1200V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | UF4SC120023K4S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF4SC120023B7S
onsemi
|
1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | UF4SC120023B7S |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF4SC120012K4SH
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor | UF4SC120012K4SH |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UF4SC120030K4S
Qorvo
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 1200V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | UF4SC120030K4S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||