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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V3577S80BQ8
Renesas Electronics
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1 | The 71V3577 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. The 71V3577 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V3577S80BQ8 |
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71V65803S100BGGI8
Renesas Electronics
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1 | The 71V65803 3.3V CMOS SRAM organized as 512K X 18. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V65803 contains data I/O, address and control signal registers. In the burst mode, it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V65803S100BGGI8 |
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71V65603S150BGG8
Renesas Electronics
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1 | The 71V65603 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K X 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V65603 contain data I/O, address and control signal registers. In the burst mode, it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V65603S150BGG8 |
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R1RP0416DSB-2LR#D0
Renesas Electronics
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1 | The R1RP0416D Series is a 4-Mbit High-Speed static RAM organized 256-k word × 16-bit. It has realized High-Speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell) and High-Speed circuit designing technology. It is most appropriate for the application which requires High-Speed, high density memory and wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. It is packaged in 400-mil 44-pin plastic SOJ and 400-mil 44-pin plastic TSOPII. | Small Outline Packages | R1RP0416DSB-2LR#D0 |
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IS66WV51216EBLL-70TLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v~3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS | Small Outline Packages | IS66WV51216EBLL-70TLI |
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IS61WV102416BLL-10MLI-TR
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R | BGA | IS61WV102416BLL-10MLI-TR |
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GS8321Z36AD-333IV
GSI TECHNOLOGY
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1 | SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 32M | BGA | GS8321Z36AD-333IV |
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IS61LP6436A-133TQLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v | Quad Flat Packages | IS61LP6436A-133TQLI |
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R1LV0808ASB-5SI
Renesas Electronics
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1 | RENESAS - R1LV0808ASB-5SI - SRAM, 8MBIT, 3V, 55NS, 44TSOP | Small Outline Packages | R1LV0808ASB-5SI |
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DS1245AB-70+
Analog Devices
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1 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1245AB-70+ - NON-VOLATILE SRAM, 1MBIT, 70NS, EDIP-32 | Dual-In-Line Sockets | DS1245AB-70+ |
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IS62WVS1288GBLL-45NLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 1Mb 128Kx8 45MHz Serial SRAM IT | Small Outline Packages | IS62WVS1288GBLL-45NLI |
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R1WV6416RBG-7SI
Renesas Electronics
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1 | RENESAS - R1WV6416RBG-7SI - SRAM, 64 Mbit, 4M x 16bit, 2.7V to 3.6V, FBGA, 48 Pins, 70 ns | BGA | R1WV6416RBG-7SI |
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CY7C1480BV33-167AXI
Infineon
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1 | SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM | Quad Flat Packages | CY7C1480BV33-167AXI |
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CY62128ELL-45ZXIT
Infineon
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1 | CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY62128ELL-45ZXIT - SRAM, 1MBIT, 128KX8BIT, 45NS, TSOP-I-32 | Small Outline Packages | CY62128ELL-45ZXIT |
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TC551001CP-85L
Toshiba
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1 | DIGITAL MOS INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE | Dual-In-Line Packages | TC551001CP-85L |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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R1LP5256ESP-7SR
Renesas Electronics
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1 | RENESAS - R1LP5256ESP-7SR - SRAM, 256KBIT, 5V, 70NS, 28SOP | Small Outline Packages | R1LP5256ESP-7SR |
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R1WV3216RSD-7SI
Renesas Electronics
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1 | RENESAS - R1WV3216RSD-7SI - SRAM, 32MBIT, 3V, 70NS, 52TSOP | Small Outline Packages | R1WV3216RSD-7SI |
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IS62WV12816EBLL-45BLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | BGA | IS62WV12816EBLL-45BLI |
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IS62C256AL-25ULI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 256K (32K x 8) 25ns Async SRAM 5v SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kbit Parallel 25 ns 28-SOP | Small Outline Packages | IS62C256AL-25ULI |
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R1LV1616RSA-7SI
Renesas Electronics
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1 | RENESAS - R1LV1616RSA-7SI - SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, 2.7V to 3.6V, TSOP-I, 48 Pins, 70 ns | Small Outline Packages | R1LV1616RSA-7SI |
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AS7C256B-15PIN
Alliance Memory
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1 | SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin PDIP, 15ns, Industrial Temp - Tube | Dual-In-Line Packages | AS7C256B-15PIN |
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TC554001AFT-70V
Toshiba
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1 | Low-power dissipationOperating: 55 mW/MHz (typical)• Standby current of 5 µA (maximum) at Ta = 25°C• Single power supply voltage of 2.7 to 5.5 V• Power down features using CE .• Data retention supply voltage of 2.0 to 5.5 V• Direct TTL compatibility for all inputs and outputs | Small Outline Packages | TC554001AFT-70V |
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DS1225AB-85+
Analog Devices
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1 | Maxim DS1225AB-85+ SRAM Memory Chip, 64kbit, 4.75 → 5.25 V, 70ns 28-Pin EDIP | Dual-In-Line Sockets | DS1225AB-85+ |
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APS6408L-OBMX-BA
AP Memory
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1 | DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 | BGA | APS6408L-OBMX-BA |
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IS66WVH8M8ALL-166B1LI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 64Mbit Parallel 166 MHz 36 ns 24-TFBGA (6x8) | BGA | IS66WVH8M8ALL-166B1LI |
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