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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N100TM
onsemi
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1 | MOSFET 1000V N-Channel QFET | Other | FQD2N100TM |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N90TF
onsemi
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0 | Fairchild FQD2N90TF N-channel MOSFET Transistor, 1.7 A, 900 V, 3-Pin D-PAK | Other | FQD2N90TF |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60CTM_WS
onsemi
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1 | N-Channel QFET® MOSFET 600V, 1.9A, 4.7Ω, TO-252 3L (DPAK), 30000-TAPE REEL | FQD2N60CTM_WS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N80TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD2N80TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60CTM
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.9A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD2N60CTM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N60C |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60CTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD2N60CTM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD2N60C |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60CTM-WS
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, DPAK | FQD2N60CTM-WS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N90TM
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 1.7 A, 7.2 Ω, DPAK | FQD2N90TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N80TM
onsemi
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1 | N-Channel QFET® MOSFET 800V, 1.8A, 6.3Ω | FQD2N80TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60CTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD2N60CTF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N100
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 1000V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD2N100 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N90TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD2N90TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60CTM
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, DPAK | FQD2N60CTM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD2N90 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N100TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.6A, 1000V, 9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD2N100TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N100TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 1000V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD2N100TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N90TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD2N90TF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60CTM_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD2N60CTM_WS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD2N80 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N100
onsemi
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0 | FQD2N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60CTF
onsemi
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0 | FQD2N60CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60TM
onsemi
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0 | FQD2N60TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD2N60TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD2N60TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||