Other Transistors||Small Signal Field-Effect Transistors Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK12
Toshiba
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1 | N-CHannel J-FET | Other | 2SK12 |
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SSM3J46CTB(TPL3)
Toshiba
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1 | MOSFET Small Sig FET 1.5V Low RDS 250mOhm | Other | SSM3J46CTB(TPL3) |
3
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2SC5692(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SC5692(TE85L,F) NPN Bipolar Transistor, 2.5 A, 50 V, 3-Pin TSM | Other | 2SC5692(TE85L,F) |
3
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AO4425
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Trans MOSFET P-CH 38V 14A 8-Pin SOIC | Small Outline Packages | AO4425 |
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AON7409
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | MOSFET P-CH 30V 16A 8DFN | Other | AON7409 |
3
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TPCC8131,LQ(S
Toshiba
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1 | TPCC8131,LQ(S P-Channel MOSFET Transistor, 10 A, 30 V, 8-Pin TSON Toshiba | Other | TPCC8131,LQ(S |
2
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J109-D26Z
onsemi
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1 | ON SEMICONDUCTOR - J109-D26Z - JFET, N-CH, 25V, 0.04A, TO-92 ROHS COMPLIANT: YES | Other | J109-D26Z |
2
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TTC013(TE12L,F)
Toshiba
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1 | High collector breakdown voltage: VCEO = 350 V (2) High DC current gain: hFE = 100 to 200 (I C = 50 mA) | Other | TTC013(TE12L,F) |
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SSM3J16FS(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Small-signal MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SSM3J16FS(TE85L,F) |
2
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CJ2304
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | MOSFET N Trench 30V 3.3A 2.2V @ 250uA 60 mΩ @ 3.2A,10V SOT-23(SOT-23-3) RoHS | SOT23 (3-Pin) | CJ2304 |
3
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MMBT3904_R1_10001
PANJIT
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1 | 40Volt, 225mWatt NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR SOT-23 Package | SOT23 (3-Pin) | MMBT3904_R1_10001 |
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BSL308PE
Infineon
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1 | Infineon BSL308PE Dual P-channel MOSFET Transistor, -2 A, -30 V, 6-Pin TSOP | SOT23 (6-Pin) | BSL308PE |
3
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SP8M8FU6TB
ROHM Semiconductor
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1 | MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC | Small Outline Packages | SP8M8FU6TB |
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SST201-T1-E3
Vishay
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1 | N CHANNEL JFET, -40V, TO-236; Breakdown Voltage Vbr:-40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:200µA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:1mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-1.5V; Transistor Type:JFET RoHS Compliant: Yes | SOT23 (3-Pin) | SST201-T1-E3 |
3
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RT1N441S
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
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1 | NPN Transistor, Built-in bias resistor (R1=47kΩ,R2=47kΩ). Ｖ(BR)CEO 50V, ICBO 0.1μA, fT 200MHz | Other | RT1N441S |
3
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CPH3116
onsemi
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1 | Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3 | SOT23 (3-Pin) | CPH3116 |
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AOB414
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Other | AOB414 |
2
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2SD1857
ROHM Semiconductor
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1 | Power Transistor (120V, 2A) | Other | 2SD1857 |
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AO4606
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6A I(D), 30V, 2-ELEMENT, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET | Small Outline Packages | AO4606 |
3
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AO8808A
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, TSSOP-8 | Small Outline Packages | AO8808A |
3
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SSM6P25TU(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Toshiba SSM6P25TU(TE85L,F) Dual P-channel MOSFET Transistor, 0.5 A, 20 V, 6-Pin UF | SO Transistor Flat Lead | SSM6P25TU(TE85L,F) |
3
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CJ3401
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | MOSFET P Channel 30V 4.2A 1.3V @ 250uA 65mΩ @ 4.2A,10V SOT-23(SOT-23-3) RoHS | SOT23 (3-Pin) | CJ3401 |
3
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BC856BW
Diodes Incorporated
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1 | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR | SOT23 (3-Pin) | BC856BW |
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MJE2955
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | INSTOCK | Transistor Outline, Vertical | MJE2955 |
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BD649
TT Electronics
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1 | TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD649 - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 10 MHz, 62.5 W, 8 A, 1500 hFE | Transistor Outline, Vertical | BD649 |
3
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