RFS3- Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3006-7PPBF
Infineon
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1 | Infineon IRFS3006-7PPBF N-channel MOSFET, 293 A, 60 V HEXFET, 7-Pin D2PAK | Other | IRFS3006-7PPBF |
3
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RFS-35V221MI6#5
Elna
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1 | 220 µF 35 V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-35V221MI6#5 |
3
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IRFS3107TRL7PP
Infineon
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1 | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package | Other | IRFS3107TRL7PP |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V470MH3#5
Elna
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 47uF 35V 20% Audio SILMIC II | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-35V470MH3#5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V100ME3#5
Elna
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 10uF 35V 20% Audio SILMIC II | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-35V100ME3#5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS30TZ6SGC13
ROHM Semiconductor
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1 | 650V 30A, TO-247-2L, Ultra Soft Recovery Type, Ultra Fast Recovery Diode | Transistor Outline, Vertical | RFS30TZ6SGC13 |
3
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IRFS3107-7PPBF
Infineon
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1 | IRFS3107-7PPBF N-Channel MOSFET, 260 A, 75 V HEXFET, 7-Pin D2PAK Infineon | Other | IRFS3107-7PPBF |
3
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RFS-35V471MJ7#5
Elna
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 470uF 35V 20% Audio SILMIC II | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-35V471MJ7#5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V102MK8#5
Elna
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 1000uF 35V 20% Audio SILMIC II | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-35V102MK8#5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V101MH5#5
Elna
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitors - Leaded 100uF 35V 20% Audio SILMIC II | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-35V101MH5#5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS3-2/10R
Mersen Electrical Power
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1 | Electric Fuse, 3.2A, 600VAC, 10000A (IR), Inline/holder | RFS3-2/10R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS3-1/2R
Mersen Electrical Power
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1 | Electric Fuse, 3.5A, 600VAC, 10000A (IR), Inline/holder | RFS3-1/2R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3307Z
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3307Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V100ME3#5
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-35V100ME3#5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DRFS3250-40JC
Proxim Wireless
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1 | Numeric Controlled Oscillator, 8-Bit, CMOS, PQCC84 | DRFS3250-40JC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3607TRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3607TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V08-A-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 5000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V08-A-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V04-A-UC-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V04-A-UC-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V220MG3#5N
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-35V220MG3#5N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS38N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS38N20DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS30N20DTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS30N20DTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V4R7ME3#5
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 4.7uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-35V4R7ME3#5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3206PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3206PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3607TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3607TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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