175-R Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMTH8008LFG-7
Diodes Incorporated
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1 | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T and R 2K | Other | DMTH8008LFG-7 |
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5100669-1
TE Connectivity
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1 | Hard Metric Backplane PCB Mount Header, ≤1 Gb/s, 25 Column, 7 Row, Mezzanine, 175 Position, 2 mm [.078 in] Centerline, Vertical, Gray, Z-PACK 2mm HM | Other | 5100669-1 |
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NDSH50120C
onsemi
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1 | Max Junction Temperature 175 °C; Avalanche Rated 380 mJ; High Surge Current Capacity; Positive Temperature Coefficient; No Reverse Recovery / No Forward Recovery; Low Vf @ TJ:175 °C | Transistor Outline, Vertical | NDSH50120C |
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SMM4F8.5A-TR
STMicroelectronics
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1 | 400 W, 8.5 V TVS in STmite Flat, Low leakage current: 0.2 μA at 25 °C and 1 μA at 85 °C,Operating Tj max: 175 °C. | Other | SMM4F8.5A-TR |
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GBU6K
onsemi
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1 | Ideal for Printed Circuit Bboard; UL certified, UL #E258596; Surge Overload Rating: 175 A peak; Glass-Passivated Junction; Reliable Low-Cost Construction Utilizing Molded Plastic Technique | Other | GBU6K |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GBU6G
onsemi
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1 | Reliable Low-Cost Construction Utilizing Molded Plastic Technique; Surge Overload Rating: 175 A peak; Ideal for Printed Circuit Bboard; Glass-Passivated Junction; UL certified, UL #E258596 | Other | GBU6G |
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NDSH30120C-F155
onsemi
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1 | Low Vf @ TJ:175 °C; Max Junction Temperature 175 °C; Avalanche Rated 237 mJ; High Surge Current Capacity; Positive Temperature Coefficient; No Reverse Recovery / No Forward Recovery | Transistor Outline, Vertical | NDSH30120C-F155 |
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FFSP3065A
onsemi
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1 | High Surge Current Capacity; Positive Temperature Coefficient; Max Junction Temperature 175 °C; Avalanche Rated 180 mJ; No Reverse Recovery / No Forward Recovery | Transistor Outline, Vertical | FFSP3065A |
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STTH802CB
STMicroelectronics
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1 | High efficiency ultrafast diode ,IF(AV) 2 X 4 A ,VRRM 200 V ,Tj (max) 175 °C ,VF (typ.) 0.81 V . | Other | STTH802CB |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GBU6D
onsemi
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1 | Reliable Low-Cost Construction Utilizing Molded Plastic Technique; UL certified, UL #E258596; Ideal for Printed Circuit Bboard; Surge Overload Rating: 175 A peak; Glass-Passivated Junction | Other | GBU6D |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STTH2002CG
STMicroelectronics
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1 | High efficiency ultrafast diode IF(AV) 2 x 10 A VRRM 200 V Tj (max) 175 °C VF (typ) 0.78 V trr (typ) 22 ns | Other | STTH2002CG |
2
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PMEG100Y120ELPE-QZ
Nexperia
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1 | Schottky Diodes & Rectifiers PMEG100V080ELPE-Q/SOT1289B/CFP 55 C to + 175 C 97pF @ 10V, 1MHz 500 nA @ 100 V 850 mV @ 8 A | Other | PMEG100Y120ELPE-QZ |
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NDSH50120C-F155
onsemi
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1 | Max Junction Temperature 175 °C; Avalanche Rated 380 mJ; High Surge Current Capacity; Positive Temperature Coefficient; No Reverse Recovery / No Forward Recovery; Low Vf @ TJ:175 °C | Transistor Outline, Vertical | NDSH50120C-F155 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM342-035-221-8800
Molex
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0 | R Series Connector (Approved to MIL-55302) | Other | RM342-035-221-8800 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM352-122-321-5700
Molex
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1 | Rectangular MIL Spec Connectors CONNECTOR, R SERIES | Other | RM352-122-321-5700 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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59165-1-U-00-D
LITTELFUSE
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1 | Magnetic / Reed Switches 59165-1-U-00-D SENSO R | Other | 59165-1-U-00-D |
3
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DLHR-L10G-E1BD-C-NAV8
All Sensors
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0 | SENSOR PRESSURE 10" H2O 18 BIT R | Other | DLHR-L10G-E1BD-C-NAV8 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM342-047-221-8800
Molex
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1 | R Series Connector (Approved to MIL-55302) | Other | RM342-047-221-8800 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM312-059-122-2900
Molex
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1 | Rectangular MIL Spec Connectors CONNECTOR, R SERIES | Other | RM312-059-122-2900 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM642-360-881-9300
Molex
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0 | R Series Connector (Approved to MIL-55302) | Other | RM642-360-881-9300 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C170400K3S
onsemi
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1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UF3C170400K3S |
3
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STPS10170CB
STMicroelectronics
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1 | High voltage power Schottky rectifier,Low leakage current,170V, 10A, 220W, -65 to + 175 °C | Other | STPS10170CB |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF3C065030T3S
onsemi
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1 | On-resistance RDS(on); Maximum operating temperature: 175 ?C; Excellent Reverse Recover; Low Gate Charge | Transistor Outline, Vertical | UF3C065030T3S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TH4E107M016C0600
Vishay
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1 | Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors TANTAMOUNT(TM) Molded Case, HI-TMP® High Temperature 175 °C, Automotive Grade | Capacitor Moulded Polarised | TH4E107M016C0600 |
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PDTB113ZU-QF
Nexperia
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1 | 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor,300 mW,425 mW -55 175 °C | SOT23 (3-Pin) | PDTB113ZU-QF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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