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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 25V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC032NE2LSATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC033N08NS5SC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 144A I(D), 80V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC033N08NS5SC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC030N10NS5SC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC030N10NS5SC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC036NE7NS3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC036NE7NS3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC030N04NSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC030N04NSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC037N08NS5T
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 136A I(D), 80V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC037N08NS5T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC034N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC034N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC035N04LSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 40V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC035N04LSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC037N03MSCG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC037N03MSCG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC037N08NS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 80V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC037N08NS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC030N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC030N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC032N03SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC032N03SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC034N03LSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC034N03LSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC030N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC030N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC030N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC036NE7NS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 159A I(D), 75V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC036NE7NS3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC030N03LSGE8176
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC030N03LSGE8176 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC030N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC030N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC037N025SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 25V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC037N025SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC037N03MSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC037N03MSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC032N04LSATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON | BSC032N04LSATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC030N08NS5ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7 | BSC030N08NS5ATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC034N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC034N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0303LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 120V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0303LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC037N03LSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC037N03LSCGATMA1 |
0
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