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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2333CDS-T1-E3
Vishay
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1 | MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V | SOT23 (3-Pin) | SI2333CDS-T1-E3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2343CDS-T1-GE3
Vishay
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1 | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin Vishay SI2343CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, -30 V, 3-Pin TO-236 | SOT23 (3-Pin) | SI2343CDS-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2318CDS-T1-BE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SI2318CDS-T1-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2323CDS-T1-GE3
Vishay
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1 | Vishay SI2323CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SI2323CDS-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CDST116-G
Comchip Technology Corporation Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.215A, 75V V(RRM), Silicon | CDST116-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CDST193-G
Comchip Technology Corporation Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 85V V(RRM), | CDST193-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CDST-193-G
Comchip Technology Corporation Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon | CDST-193-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CDST-19-G
Comchip Technology Corporation Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon | CDST-19-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CDST-116-G
Comchip Technology Corporation Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.215A, 75V V(RRM), Silicon | CDST-116-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2301CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2301CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2319CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 40V, 0.077ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SI2319CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2309CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2302CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2302CDS-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2309CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2309CDS-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2323CDS-T1-BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2323CDS-T1-BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2318CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 40V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2318CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302CDS-T1-GE3
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 20 V MOSFET in SOT-23 package with 0.028 ohm RDS(on) at 4.5 V VGS, 6 A continuous drain current, and 8.8 nC gate charge, suitable for DC/DC converters and load switches. | SI2302CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2303CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2303CDS-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2312CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.0318ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SI2312CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2323CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2323CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2301CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2301CDS-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 8V, 0.035ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SI2305CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2307CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.088ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2307CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2333CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 12V, 0.035ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2333CDS-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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