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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11T4
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 | MJD44H11T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11T5
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 | MJD44H11T5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11T5
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD44H11T5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11V
Rectron Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD44H11V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11IP
Rectron Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD44H11IP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11T5G
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD44H11T5G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11RLG
onsemi
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1 | Complementary Pairs Simplifies Designs; Low Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes; Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix); Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount ("T4" Suffix); Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series; Fast Switching Speeds; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 | MJD44H11RLG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11-001G
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD44H11-001G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11A
Nexperia
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD44H11A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11BF2
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD44H11BF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11G
onsemi
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1 | Complementary Pairs Simplifies Designs; Low Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes; Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix); Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount ("T4" Suffix); Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series; Fast Switching Speeds; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 | MJD44H11G |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11-1
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,8A I(C),TO-251 | MJD44H11-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11T4
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,8A I(C),TO-252AA | MJD44H11T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD44H11-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11RLG
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 | MJD44H11RLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 | MJD44H11TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11-I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 | MJD44H11-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11-1
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD44H11-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11TM
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD44H11TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD44H11TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11TF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD44H11TF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11T4
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD44H11T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD44H11I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11-1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD44H11-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD44H11-1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | MJD44H11-1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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