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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CV201210-1R2K
Bourns
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1 | Fixed Inductors 1.2uH 10% MULTI LAYER | Inductors Chip | CV201210-1R2K |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CV201210-1R8K
Bourns
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1 | Inductor Chip Shielded Multi-Layer 1.8uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 50mA 600mOhm DCR 0805 T/R | Inductors Chip | CV201210-1R8K |
3
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MFBM1V2012-501-R
Eaton
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1 | Ferrite Beads Multi H Cur, Impedance 500O 2.0A SMT.,. | Other | MFBM1V2012-501-R |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CV201210-R12K
Bourns
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1 | Fixed Inductors .12uH 10% MULTI LAYER | Inductors Chip | CV201210-R12K |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CV201210-5R6K
Bourns
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1 | Fixed Inductors 5.6uH 10% MULTI LAYER | Inductors Chip | CV201210-5R6K |
3
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CV201210-R56K
Bourns
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1 | BOURNS - CV201210-R56K - High Frequency Inductor, 560 nH, CV201210 Series, 150 mA, 0805 [2012 Metric], Shielded, 0.75 ohm | Inductors Chip | CV201210-R56K |
3
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CV201210-330K
Bourns
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1 | BOURNS - CV201210-330K - INDUCTOR, MULTILAYER, 33UH, 0.005A, 0805 | Inductors Chip | CV201210-330K |
3
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MFBM1V2012-601-R
Eaton
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1 | 600 Ohms @ 100 MHz 1 Power Line Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) 2A 100mOhm | Ferrite Bead Chip | MFBM1V2012-601-R |
3
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MFBW1V2012-221-R
Eaton
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1 | Multi Nor Cur, Impedance 220Ω 2.0A SMT | Ferrite Bead Chip | MFBW1V2012-221-R |
3
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MFBM1V2012-300-R
Eaton
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1 | • Industrial connectivity (IoT)• Wireless communications• Bluetooth• WiFi• Antennas• Machine-to-machine (M2M)• Mobile phones• Wearable devices• Wireless LAN• Computing/gaming consoles• Broadband components• RF transceiver modules | Ferrite Bead Chip | MFBM1V2012-300-R |
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PTN091-V20125K1A
Same Sky
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1 | 9.5 mm, Vertical, Logarithmic, 20K, Through Hole, Knurled Shaft Rotary Potentiometer | Other | PTN091-V20125K1A |
3
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CV201210-3R3K
Bourns
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1 | Inductor RF Shielded Multi-Layer 3.3uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.03A 0.8Ohm DCR 0805 T/R | Inductors Chip | CV201210-3R3K |
3
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CV201210-270K
Bourns
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1 | Fixed Inductors 27uH 10% MULTI LAYER | Inductors Chip | CV201210-270K |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CV201210-R82K
Bourns
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1 | Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 1Ohm DCR 0805 T/R | Inductors Chip | CV201210-R82K |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTSV20120CTG
onsemi
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1 | Obsolete - Schottky Power Rectifier, Dual, 20 A, 80 V | Transistor Outline, Vertical | NTSV20120CTG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFBM1V2012-102-R
Eaton
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1 | 1 kOhms @ 100 MHz 1 Power Line Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) 1.5A 120mOhm | Other | MFBM1V2012-102-R |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB | V20120SG-M3/4W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V20120C-M3/4W
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB | V20120C-M3/4W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V20120CHM3/4W
Vishay Semiconductors
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1 | DIODE 10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode | V20120CHM3/4W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V20120S-E3/4W
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB | V20120S-E3/4W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V20120C-E3/4W
Vishay Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB | V20120C-E3/4W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V20120SG-M3/4W
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB | V20120SG-M3/4W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V2012SN
ASSMANN WSW components GmbH
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1 | Assembly Item | V2012SN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V20120C-M3/4W
Vishay Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB | V20120C-M3/4W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V20120S-M3/4W
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB | V20120S-M3/4W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||