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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7123DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 20V, 0.0106ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7123DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7145DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36.5A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7145DP-T1-GE3 |
0
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SI7114DNT1E3
Vishay Dale
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0 | N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET | SI7114DNT1E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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516BSI7.150.25%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 7.15ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 516BSI7.150.25%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7101DN-T1-GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SI7101DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 35A, PPAK1212-8 | SI7101DN-T1-GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7106DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 20V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7106DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7120ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7120ADN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7172DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7172DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7186DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 80V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7186DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7119DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7119DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7117DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 150V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7117DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7117DN-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 150V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7117DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7156DP-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7156DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7106DN-T1-E3
Vishay
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1 | Vishay SI7106DN-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor, 12.5 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212 | SI7106DN-T1-E3 |
1
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