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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN102-200Y,115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.5A I(D), 200V, 0.102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN102-200Y,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R6-30BL,118
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R6-30BL,118 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R7-25YLDX
Nexperia
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1 | NEXPERIA - PSMN1R7-25YLDX - MOSFET, N-CH, 25V, 100A, SOT-669-4 | PSMN1R7-25YLDX |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R3-100ASFJ
Nexperia
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1 | MOSFETs NextPower 100 V, 1.3 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212 package | PSMN1R3-100ASFJ |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R8-30PL,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | PSMN1R8-30PL,127 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN102-200YT/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN102-200YT/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R9-40PL
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | PSMN1R9-40PL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R9-40YSB
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, MO-235 | PSMN1R9-40YSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R7-40YLD
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, MO-235 | PSMN1R7-40YLD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R2-25YL
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 25V, 0.00185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R2-25YL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R1-40BS
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R1-40BS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R0-25YLD
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 25V, 0.00143ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R0-25YLD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R6-25YLE
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 185A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R6-25YLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R7-40YLBX
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, MO-235 | PSMN1R7-40YLBX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R5-25YL,115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R5-25YL,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R2-30YLC
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.00165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R2-30YLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R0-100ASFJ
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 460A I(D), 100V, 0.00135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-359 | PSMN1R0-100ASFJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R7-60BS,118
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R7-60BS,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN130-200D/T3
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | PSMN130-200D/T3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R5-40PS,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R5-40PS,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R5-40ES
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | PSMN1R5-40ES |
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PSMN1R4-100CSE
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 340A I(D), 100V, 0.00142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-359 | PSMN1R4-100CSE |
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PSMN1R4-30YLD/S500
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor | PSMN1R4-30YLD/S500 |
0
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PSMN1R0-40ULD
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | PSMN1R0-40ULD |
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PSMN102-200Y
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.5A I(D), 200V, 0.102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN102-200Y |
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