Showing 25 of 368 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2382(Q)
Toshiba
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1 | MOSFET Pb-FF 220NIS2 PLN,ACTIVE, | Transistor Outline, Vertical | 2SK2382(Q) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2314(F)
Toshiba
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1 | N-channel MOSFET Transistor, 27 A, 100 V, 3-Pin TO-220FL | Transistor Outline, Vertical | 2SK2314(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2313(F)
Toshiba
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1 | Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Sack | Transistor Outline, Vertical | 2SK2313(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2394-6-TB-E
onsemi
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1 | Large Forward Transfer Admittance; Small Ciss; Ultralow noise figure | SOT23 (3-Pin) | 2SK2394-6-TB-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2364-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2364 is a Switching N-Channel Power Mosfet. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2364-AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2341-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2341 is a Switching N-Channel Power Mosfet. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2341-AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2399(2-7J1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2399(2-7J1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2394
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK2394 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2332TE12R
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | 2SK2332TE12R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK238-LK16
NEC Electronics America Inc
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, PLASTIC, SC-59, 3 PIN | 2SK238-LK16 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2379-YB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2379-YB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2372
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2372 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2334(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2334(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2370-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2370-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2376(SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2376(SM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2369
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 450V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2369 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2366
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2366 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2329(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2329(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2378
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2378 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2314
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2314 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK238-K16
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET | 2SK238-K16 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2356
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2356 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2315TYUR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2315TYUR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2322(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2322(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2331
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | 2SK2331 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||