Showing 22 of 22 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSL215CH6327XTSA1
Infineon
|
1 | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH OptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal Transistor | SOT23 (6-Pin) | BSL215CH6327XTSA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL211SPH6327XTSA1
Infineon
|
1 | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | SOT23 (6-Pin) | BSL211SPH6327XTSA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL215C H6327
Infineon
|
0 | Infineon BSL215C H6327 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 1.5 A, 20 V, 6-Pin TSOP | Small Outline Packages | BSL215C H6327 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL215CH6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL215CH6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL215CL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL215CL6327HTSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL211SPL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 20V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL211SPL6327HTSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL214NH6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | BSL214NH6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL211SPL6327XT
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 20V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL211SPL6327XT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL215CL6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL215CL6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL214NH6327XTSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL214NH6327XTSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL214NL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL214NL6327HTSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL211SPH6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 20V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL211SPH6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL214N
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL214N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL215PL6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL215PL6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL211SPL6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 20V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL211SPL6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL215P
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL215P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL214NL6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL214NL6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL215PL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL215PL6327HTSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSL211SP
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 20V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL211SP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2PD601BSL,215
Nexperia
|
1 | 2PD601BRL; 2PD601BSL - 50 V, 200 mA NPN general-purpose transistors | 2PD601BSL,215 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ABSL2-10.000MHZ-D4Y-T
Abracon Corporation
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 10MHz Nom | ABSL2-10.000MHZ-D4Y-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2PB709BSL,215
Nexperia
|
1 | 2PB709BRL; 2PB709BSL - 50 V, 200 mA PNP general-purpose transistors | 2PB709BSL,215 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||