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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP17
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP17 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP17
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP17 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171P
Infineon
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1 | Infineon BSP171P P-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 60 V, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | BSP171P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP170PL6327HTSA1
Infineon
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1 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | BSP170PL6327HTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP170PH6327XTSA1
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3 | SOT223 (3-Pin) | BSP170PH6327XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171PH6327XTSA1
Infineon
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1 | Transistor,MOS, P ch,60V, BSP171P | SOT223 (4-Pin) | BSP171PH6327XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP170P
Infineon
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1 | MOSFET P-Channel 60V 1.9A SOT223 | SOT223 (3-Pin) | BSP170P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP17E-6327
Siemens
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1 | 3.2 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP17E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP170
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP170 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP171 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP17E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP17E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP170P
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP170P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171P
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | BSP171P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP17E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP17E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP171E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP179H6906
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSP179H6906 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP171E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171PE6327
Infineon
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 | BSP171PE6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171PL6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4 | BSP171PL6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP179H6327XTSA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.21A I(D), 400V, 18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | BSP179H6327XTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP171 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171E-6327
Siemens
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1 | 1.7A, 60V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP171E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP170PH6327
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 | BSP170PH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP170E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP170E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP171PL6327XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4 | BSP171PL6327XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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