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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ086P03NS3EGATMA1
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | Other | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 | Other | BSZ084N08NS5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ086P03NS3EG
Infineon
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1 | Infineon BSZ086P03NS3EG P-channel MOSFET Transistor, 40 A, -30 V, 8-Pin TSDSON | Other | BSZ086P03NS3EG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | Other | BSZ086P03NS3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ086P03NS3E G
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | Other | BSZ086P03NS3E G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ086P03NS3 G
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | Other | BSZ086P03NS3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ088N03MS G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | Other | BSZ088N03MS G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0804LSATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH >=100V | Other | BSZ0804LSATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TAZX476K020LBSZ0845
Kyocera AVX
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1 | Tantalum Capacitors - Solid SMD 20volts 47uF 10% CASE X LOW ESR | Capacitor Moulded Polarised | TAZX476K020LBSZ0845 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TAZF336K015CBSZ0800
Kyocera AVX
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1 | Tantalum Capacitors - Solid SMD 15V 33uF 3Ohms F 10% | Capacitor Moulded Polarised | TAZF336K015CBSZ0800 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TAZH227K010CBSZ0800
Kyocera AVX
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1 | CWR09 - MIL-PRF-55365/4 Established Reliability,COTS-Plus & Space Level | Capacitor Moulded Polarised | TAZH227K010CBSZ0800 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TAZX157K010LBSZ0845
Kyocera AVX
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1 | Tantalum Capacitors - Solid SMD 10V 150uF 10% CASE X LOW ESR | Capacitor Moulded Polarised | TAZX157K010LBSZ0845 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TAZF106K020LBSZ0800
Kyocera AVX
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1 | Tantalum Capacitors - Solid SMD 20V 10uF 0.8Ohms F 10% | Capacitor Moulded Polarised | TAZF106K020LBSZ0800 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TAZH156J025LBSZ0800
Kyocera AVX
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1 | Tantalum Capacitors - Solid SMD 25V 15uF 0.2Ohms H 5 % | Capacitor Moulded Polarised | TAZH156J025LBSZ0800 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ086P03NS3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ086P03NS3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ084N08NS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 80V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ084N08NS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ088N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ088N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ086P03NS3EGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ086P03NS3EGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ088N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ088N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ088N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ088N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ088N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ088N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ086P03NS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ086P03NS3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0804LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0804LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0803LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0803LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TAZA684M20CBSZ0824
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 20V, 20% +Tol, 20% -Tol, 0.68uF, Surface Mount, 1505, CHIP | TAZA684M20CBSZ0824 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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