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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ123N08NS3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSZ123N08NS3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ12DN20NS3GATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | Other | BSZ12DN20NS3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ120P03NS3GATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Power MOSFET, P Channel, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount | Other | BSZ120P03NS3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ123N08NS3G
Infineon
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1 | 10 A, 80 V, 0.0123 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET | Other | BSZ123N08NS3G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ123N08NS3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSZ123N08NS3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ120P03NS3 G
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3 | Other | BSZ120P03NS3 G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ12DN20NS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ12DN20NS3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ120P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ120P03NS3EGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ120P03NS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ120P03NS3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ120P03NS3EG
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 30V, 0.02ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8 | BSZ120P03NS3EG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ123N08NS3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ123N08NS3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ120P03NS3EG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ120P03NS3EG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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