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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ16DN25NS3G
Infineon
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1 | OptiMOSTM3 Power-Transistor | Other | BSZ16DN25NS3G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ16DN25NS3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSZ16DN25NS3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ160N10NS3 G
Infineon
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1 | Infineon BSZ160N10NS3 G N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 100 V, 8-Pin TSDSON | Other | BSZ160N10NS3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ160N10NS3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ160N10NS3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ165N04NSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 40V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ165N04NSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ160N10NS3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ160N10NS3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ165N04NSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 40V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ165N04NSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ160N10NS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ160N10NS3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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