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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC2111
Efficient Power Conversion
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1 | Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge | Other | EPC2111 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2103
Efficient Power Conversion
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1 | GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge | Other | EPC2103 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC21601
EPC
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1 | Laser Driver IC 1 Channel 10V ~ 30V Die -40°C ~ 150°C (TJ) | Other | EPC21601 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2108
EPC
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1 | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | Other | EPC2108 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2152ENGRT
EPC
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1 | IC GANFET HALFBRIDG/DRIVER 12LGA EPC2152x – 70 V, 12.5 A ePower Stage | Other | EPC2152ENGRT |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2112ENGRT
EPC
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1 | 200 V GAN IC FET DRIVER | Other | EPC2112ENGRT |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2110ENGR
EPC
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1 | EPC2110 – Dual Common-Source Enhancement-Mode GaN Power Transistor | Other | EPC2110ENGR |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2106
EPC
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1 | GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE | Other | EPC2106 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2152
EPC
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1 | Synchronous Buck Converter | Other | EPC2152 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC21701
Efficient Power Conversion
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1 | Laser Driver IC 1 Channel 80V 15 A Peak. | Other | EPC21701 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2104
EPC
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1 | GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG | Other | EPC2104 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2110
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 120V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-9 | EPC2110 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2107
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, | EPC2107 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2105ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 80V, 0.0145ohm, 2-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, 6.05 X 2.30 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-75 | EPC2105ENGR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2100ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.008ohm, 2-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, 6.05 X 2.30 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-75 | EPC2100ENGR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2103ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 80V, 0.0055ohm, 2-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, 6.05 X 2.30 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-75 | EPC2103ENGR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2106ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor | EPC2106ENGR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2102ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.0044ohm, 2-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, 6.05 X 2.30 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-75 | EPC2102ENGR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC21601
Efficient Power Conversion
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1 | Interface Circuit, DIE-6 | EPC21601 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2108ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.19ohm, 3-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, 1.35 X 1.35 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-9 | EPC2108ENGR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2104ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.0063ohm, 2-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, 6.05 X 2.30 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-75 | EPC2104ENGR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2115ENGRT
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.088ohm, 2-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-10 | EPC2115ENGRT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2107ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.32ohm, 3-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, 1.35 X 1.35 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-9 | EPC2107ENGR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2110ENGR
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor | EPC2110ENGR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC2112ENGRT
Efficient Power Conversion
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1 | Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, DIE-10 | EPC2112ENGRT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||