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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3632-F085
onsemi
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1 | Last Shipments - N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ | Other | FDB3632-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3632
onsemi
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1 | Low Miller Charge; RoHS Compliant; UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) ; RDS(ON) = 7.5mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A; QG(tot) = 84nC (Typ.) @ VGS = 10V; Low QRR Body Diode | Other | FDB3632 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3652
onsemi
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1 | Low Miller Charge ; rDS(ON) = 14mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 61A ; Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V ; Low Qrr Body Diode ; UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) | Other | FDB3652 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3682
onsemi
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1 | Qualified to AEC Q101 ; RDS(ON) = 32mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 32A ; Low Miller Charge ; UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) ; Qg(tot) = 18.5nC (Typ.), VGS = 10V ; Low QRR Body Diode | Other | FDB3682 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3652_Q
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ | Other | FDB3652_Q |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3652_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB3652_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3652-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ, TO-263 2L (D2PAK), 800-REEL, Automotive Qualified | FDB3652-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3652_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDB3652_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3682_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB3682_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3632
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB3632 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3652
Rochester Electronics LLC
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1 | 9A, 100V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | FDB3652 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3672_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDB3672_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3652_F085
onsemi
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1 | 100V, 61A, 14mΩ, D2PAK N-Channel PowerTrench®, TO-263 2L (D2PAK), 800-TAPE REEL | FDB3652_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3632_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB3632_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3672_F085
onsemi
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1 | 100V, 44A, 24mΩ, D2PAK N-Channel UltraFET® Trench, TO-263 2L (D2PAK), 800-TAPE REEL | FDB3672_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3632_SB82115
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDB3632_SB82115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3632_F085
onsemi
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1 | 100V, 80A, 7.5mΩ, D2PAK N-Channel PowerTrench®, TO-263 2L (D2PAK), 800-TAPE REEL | FDB3632_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3672
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB3672 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3632_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB3632_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3672-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 44A, 28mΩ, TO-263 2L (D2PAK), 800-REEL, Automotive Qualified | FDB3672-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3682
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB3682 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3652
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB3652 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB3672
Rochester Electronics LLC
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1 | 7.2A, 100V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | FDB3672 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MAV03LB12M3FDB36V
knitter-switch
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1 | Special Switch, SPDT, On-on, Momentary, Quick Connect Terminal, Panel Mount | MAV03LB12M3FDB36V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MAV02LB22M3FDB36V
knitter-switch
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1 | Special Switch, SPDT, On-(on), Momentary, Quick Connect Terminal, Panel Mount | MAV02LB22M3FDB36V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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