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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8832
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET, 30V, 80A, 2.1mΩ | Other | FDB8832 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8832-F085
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET, 30V, 80A, 2.6mΩ | Other | FDB8832-F085 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8896
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 30V, 0.0068ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | FDB8896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8878
Rochester Electronics LLC
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1 | 48A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDB8878 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8870
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, 160A, 3.9mΩ | FDB8870 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8832
Rochester Electronics LLC
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1 | 34 A, 30 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDB8832 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8870-F085
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, 54A, 11.6mΩ | FDB8870-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8876
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 71A I(D), 30V, 0.0103ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDB8876 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8870_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDB8870_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8874_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | FDB8874_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8870
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | FDB8870 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8880
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | FDB8880 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8896
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | FDB8896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8880
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, 93A, 5.7mΩ | FDB8880 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8896-F085
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel Power Trench MOSFET, 40V, 110A, 1.2mΩ | FDB8896-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8832
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDB8832 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8876_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 71A I(D), 30V, 0.0103ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDB8876_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8870
Rochester Electronics LLC
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1 | 23A, 30V, 0.0044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | FDB8870 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8896_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | FDB8896_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8896
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 93A, 5.7mΩ | FDB8896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8874
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | FDB8874 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8878
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDB8878 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8860_NB82103
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDB8860_NB82103 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8880_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | FDB8880_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8860_F085
onsemi
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1 | 30V, 80A, 1.9mΩ, D2PAK, Logic Level N-Channel PowerTrench®, TO-263 2L (D2PAK), 800-TAPE REEL | FDB8860_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||