Showing 25 of 119 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3601N
onsemi
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1 | 1.0 A, 100 V ; RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = 6 V ; Fast switching speed ; SuperSOT™-6 package: small footprint 72%(smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick) ; RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; Low gate charge (3.7nC typical) | SOT23 (6-Pin) | FDC3601N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC365P
onsemi
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1 | Obsolete - P-Channel PowerTrench MOSFET, 2.5V Specified, -20V, -5.8A, 30mΩ | SOT23 (6-Pin) | FDC365P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3612
onsemi
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1 | High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; High power and current handling capability ; RDS(on) = 135 mΩ @ VGS = 6 V ; RDS(on) = 125 mΩ@ VGS = 10 V ; Low gate charge (14nC typical) ; Fast switching speed ; 2.6 A, 100 V | SOT23 (6-Pin) | FDC3612 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3612-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3612-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3612
Rochester Electronics LLC
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1 | 2600mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC3612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3601N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3601N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3612D87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3612D87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3601N-G
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3601N-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3601ND84Z
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3601ND84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3612_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3612_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3601ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3601ND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3612_NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3612_NF073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3601N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3601N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3601ND84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3601ND84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3600
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM) | FDC3600 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3601NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3601NL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC365P
Rochester Electronics LLC
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1 | 4300mA, 35V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6, 6 PIN | FDC365P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3612
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3616N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3616N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3612D87Z
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3612D87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3612_F073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3612_F073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3601N
Rochester Electronics LLC
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1 | 1000mA, 100V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC3601N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3601NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3601NS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC365P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 35V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC365P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS1206FDC365M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.33W, 3.65e+08ohm, 1500V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | HVCS1206FDC365M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||