Showing 25 of 1083 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD10N20LZTM
onsemi
|
1 | Last Shipments - N-Channel Power Trench MOSFET, 150V, 14A, 120mΩ | Other | FDD10N20LZTM |
3
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10AN06A0-F085
onsemi
|
1 | Obsolete - Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, UniFETTM, 200 V, 7.6 A, 360 mΩ, DPAK | Other | FDD10AN06A0-F085 |
3
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10AN06A0_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN | FDD10AN06A0_NL |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10510
ELMEC Technology Of America Inc
|
1 | Delay Line, 1-Func, 1-Tap | FDD10510 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10AN06A0
Rochester Electronics LLC
|
1 | 11A, 60V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN | FDD10AN06A0 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD107AN06LA0
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 60V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN | FDD107AN06LA0 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10505
ELMEC Technology Of America Inc
|
1 | Delay Line, 1-Func, 1-Tap | FDD10505 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10AN06A0
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN | FDD10AN06A0 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10AN06A0_F085
onsemi
|
1 | 60V, 50A, 9.4mΩ, DPAK N-Channel PowerTrench®, TO-252 3L (DPAK), 5000-TAPE REEL | FDD10AN06A0_F085 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10AN06A0
onsemi
|
1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 10.5mΩ | FDD10AN06A0 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10N20LZ
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FDD10N20LZ |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10AN06A0_NL
Rochester Electronics LLC
|
1 | 11A, 60V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN | FDD10AN06A0_NL |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10N20LZTM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3/2 | FDD10N20LZTM |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10010
ELMEC Technology Of America Inc
|
1 | Delay Line, 1-Func, 1-Tap | FDD10010 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10005
ELMEC Technology Of America Inc
|
1 | Delay Line, 1-Func, 1-Tap | FDD10005 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10AN06A0_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3/2 | FDD10AN06A0_F085 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD10N20LZ
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD10N20LZ |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SVH3350FDD-1.000M
Sunny Electronics Corp
|
1 | CMOS Output Clock Oscillator, | SVH3350FDD-1.000M |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PCW1D-R24-FDD103L
Bourns Inc
|
1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.25W, 10000ohm, 20% +/-Tol, -1000,1000ppm/Cel, 8729, | PCW1D-R24-FDD103L |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UHVB5020FDD107M
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, 107000000ohm, 6000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 5020, CHIP | UHVB5020FDD107M |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HVCB3512FDD100K
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 100000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCB3512FDD100K |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HVCG3512FDD10K7
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 10700ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCG3512FDD10K7 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MH77FDD1.0000MHZ
MtronPTI
|
1 | Oscillator, | MH77FDD1.0000MHZ |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PCL1D-R19-FDD102L
Bourns Inc
|
1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.25W, 1000ohm, 20% +/-Tol, -1000,1000ppm/Cel, 8729, | PCL1D-R19-FDD102L |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VFTX302-JFDD-10.000MHZ
CTS Corporation
|
1 | Oscillator, | VFTX302-JFDD-10.000MHZ |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||