Showing 25 of 734 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD13AN06A0-F085
onsemi
|
1 | UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse); Qualified to AEC Q101; Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V; rDS(ON) = 11.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A; Low Miller Charge; Low QRR Body Diode ; RoHS Compliant | Other | FDD13AN06A0-F085 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0
onsemi
|
1 | Qualified to AEC Q101; UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse); QG(tot) = 22nC (Typ.) @ VGS = 10V; Low Qrr Body Diode; RDS(on) = 11.5mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 50A; Low Miller Charge | Other | FDD13AN06A0 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13-300
Facon
|
1 | Rectifier Diode, 0.5A, 400V V(RRM) | FDD13-300 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13-200
Facon
|
1 | Rectifier Diode, 0.5A, 400V V(RRM) | FDD13-200 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 60V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD13AN06A0_F085 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13010
ELMEC Technology Of America Inc
|
1 | Passive Delay Line, 1-Func, 1-Tap, True Output, PSIP3 | FDD13010 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13005
ELMEC Technology Of America Inc
|
1 | Passive Delay Line, 1-Func, 1-Tap, True Output, PSIP3 | FDD13005 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13505
ELMEC Technology Of America Inc
|
1 | Passive Delay Line, 1-Func, 1-Tap, True Output, PSIP3 | FDD13505 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13510
ELMEC Technology Of America Inc
|
1 | Passive Delay Line, 1-Func, 1-Tap, True Output, PSIP3 | FDD13510 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 60V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD13AN06A0_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0_F085
onsemi
|
1 | 60V, 50A, 11.5mΩ, DPAK N-Channel PowerTrench®, TO-252 3L (DPAK), 30000-TAPE REEL | FDD13AN06A0_F085 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0
VBsemi Electronics Co Ltd
|
1 | N-Channel 60 V MOSFET in TO-252 package with 45 A continuous drain current, 175 °C junction temperature, and RDS(on) of 12 mΩ at VGS = 10 V, suitable for surface mount applications. | FDD13AN06A0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDD13AN06A0
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 60V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD13AN06A0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HVCB3512FDD13K0
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 13000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCB3512FDD13K0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGCB0603FDD133M
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 133000000ohm, 100V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP | HGCB0603FDD133M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HVCB0603FDD13K0
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 13000ohm, 400V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCB0603FDD13K0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HVCG0603FDD13M3
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 1.33e+07ohm, 400V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCG0603FDD13M3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HVCZ0805FDD13M7
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 1.37e+07ohm, 600V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCZ0805FDD13M7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HVCB2512FDD130M
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 1.3e+08ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCB2512FDD130M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HVCB3512FDD137K
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 137000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCB3512FDD137K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HVCG3512FDD13K0
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 13000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCG3512FDD13K0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CUMI-29FDD13-W-R-BK-30-FSC
Winchester Interconnect
|
1 | Rack and Panel Connector, 29 Contact(s), Female, Solder Terminal, Socket | CUMI-29FDD13-W-R-BK-30-FSC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UHVS2512FDD133M
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, 133000000ohm, 4000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | UHVS2512FDD133M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UMI-44BFDD13-W-2M-BK-30-FSC
Winchester Interconnect
|
1 | Rack and Panel Connector, 44 Contact(s), Female, Solder Terminal, Socket | UMI-44BFDD13-W-2M-BK-30-FSC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HVCS2512FDD13K7
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 13700ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCS2512FDD13K7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||