Showing 25 of 135 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5614P
onsemi
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1 | High power and current handling capability ; –15 A, –60 V. ; RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = –10 V ; RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = –4.5 V ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; Fast switching speed | Other | FDD5614P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5612
onsemi
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1 | N-Channel 60 V 5.4A (Ta) 3.8W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA 660 pF @ 30 V -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | FDD5612 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5680
onsemi
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1 | Low gate charge (33nC typical); RDS(on) = 25 mΩ @ VGS = 6 V; High performance trench technology for extremely low RDS(on); RDS(on) = 21 mΩ @ VGS = 10 V; 38 A, 60 V; Fast switching speed | Other | FDD5680 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5680_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5680_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5680
Rochester Electronics LLC
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1 | 38A, 60V, 0.021ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD5680 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5670_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5670_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5690
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5690 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5614P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5614P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5690_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5690_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5670
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5670 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5612_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5612_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5690
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5690 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5612
Rochester Electronics LLC
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1 | 18A, 60V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD5612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5670
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5670 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5690
Rochester Electronics LLC
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1 | 30A, 60V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD5690 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5680
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5680 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5612
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5614P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5614P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UHVS2010FDD562M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, 562000000ohm, 6000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2010, CHIP | UHVS2010FDD562M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGCB0805FDD562M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 562000000ohm, 125V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP | HGCB0805FDD562M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB2010FDD562M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 5.62e+08ohm, 2000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2010 | HVCB2010FDD562M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS3512FDD562K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 562000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCS3512FDD562K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ3512FDD562M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 562000000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 3512 | HVCZ3512FDD562M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS1206FDD56K2
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.33W, 56200ohm, 1500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | HVCS1206FDD56K2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG1206FDD562K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.33W, 562000ohm, 1500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | HVCG1206FDD562K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||