Showing 25 of 137 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5614P
onsemi
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1 | Last Shipments - 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 52A, 15mΩ | Other | FDD5614P |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5680
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET, 38A, 21mΩ | Other | FDD5680 |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5612
onsemi
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1 | Last Shipments - 60V P-Channel PowerTrench MOSFET -15A, 100mΩ | Other | FDD5612 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5614P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD5614P_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5670_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FDD5670_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5690
onsemi
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1 | 60V N-Channel PowerTrench® MOSFET 30A, 27mΩ | FDD5690 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5680_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD5680_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5680
Rochester Electronics LLC
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1 | 38A, 60V, 0.021ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD5680 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5612
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FDD5612 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5614P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD5614P |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5690
Rochester Electronics LLC
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1 | 30A, 60V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD5690 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5612
Rochester Electronics LLC
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1 | 18A, 60V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD5612 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5670
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FDD5670 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5690
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD5690 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5680
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD5680 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5612_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FDD5612_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5690_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252, 3 PIN | FDD5690_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5670
onsemi
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1 | 60V N-Channel PowerTrench® MOSFET 52A, 15mΩ | TO-XXX (Inc. DPAK) | FDD5670 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5614P_T
onsemi
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0 | FDD5614P_T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDD5614P_NL
onsemi
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0 | FDD5614P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UHVS2512FDD562M
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, 562000000ohm, 8000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | UHVS2512FDD562M |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HVCG2010FDD56M2
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 56200000ohm, 2000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2010, CHIP | HVCG2010FDD56M2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HVCZ2512FDD56K2
SEI Stackpole Electronics Inc
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 56200ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | HVCZ2512FDD56K2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HVCS3512FDD562K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 562000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCS3512FDD562K |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HVCS1206FDD56K2
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.33W, 56200ohm, 1500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP | HVCS1206FDD56K2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||