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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6690A
onsemi
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1 | Fast switching speed ; Low gate charge ; High performance trench technology for extremely low RDS(on) ; RDS(on) = 14 mΩ @ VGS = 4.5 V ; RDS(on) = 12 mΩ @ VGS = 10 V ; 46 A, 30 V | Other | FDD6690A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6670A
onsemi
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1 | Low gate charge ; Fast switching speed ; RDS(on) = 10 mΩ @ VGS = 4.5 V ; RDS(on) = 8 mΩ @ VGS = 10 V ; High performance trench technology for extremely low RDS(on); 66 A, 30 V | Other | FDD6670A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6637
onsemi
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1 | RDS(ON) = 18 mΩ @ VGS = -4.5 V ; RDS(ON) = 11.6 mΩ @ VGS = -10 V ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); -55 A, -35 V ; RoHS Compliant | Other | FDD6637 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6685
onsemi
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1 | Fast switching speed ; Qualified to AEC Q101 ; High power and current handling capability ; RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = -10V ; -40A, -30V ; RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = -4.5V ; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON) | Other | FDD6685 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6630A
onsemi
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1 | High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; Low gate charge (5nC typ) ; RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = 10 V ; Fast switching speed ; 21 A, 30 V; RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = 4.5 V | Other | FDD6630A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6672A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6672A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6632
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6632 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6672A
Rochester Electronics LLC
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1 | 65A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD6672A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6676
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6676 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6682
Rochester Electronics LLC
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1 | 75A, 30V, 0.0062ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD6682 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6606_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6606_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6690A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6690A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6635
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 35V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6635 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6680A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6680A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6606
Rochester Electronics LLC
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1 | 75A, 30V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD6606 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6637-F085
onsemi
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1 | P-Channel PowerTrench® MOSFET, -35V, -21A, 18mΩ, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL, Automotive Qualified | FDD6637-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6670S_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6670S_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6670S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6670S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6637-G
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD6637-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6612A-OLDDIE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD6612A-OLDDIE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6630A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6630A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6612A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6612A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6696_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6696_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6692
Rochester Electronics LLC
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1 | 54A, 30V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD6692 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6688S_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6688S_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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