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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50TM_F085
onsemi
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1 | Trans MOSFET N-CH 500V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Other | FDD6N50TM_F085 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N25TM
onsemi
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1 | Low Crss ( Typ. 5pF); Low gate charge ( Typ. 4.5nC); RDS(on) = 1.1Ω ( Max.)@ VGS = 10V, ID = 2.2A; 100% avalanche tested | Other | FDD6N25TM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50TM-WS
onsemi
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1 | Low Crss (Typ. 9 pF); Low gate charge (Typ. 12.8 nC); Improved dv/dt capability; RDS(on) = 900mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 3A; 100% avalanche tested | Other | FDD6N50TM-WS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50TM
onsemi
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1 | Low Crss (Typ. 9 pF); Low gate charge (Typ. 12.8 nC); Improved dv/dt capability; RDS(on) = 900mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 3A; 100% avalanche tested | Other | FDD6N50TM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50FTM
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; RoHS compliant; Low Crss ( Typ. 6.3pF); Low gate charge ( Typ. 15nC); RDS(on) = 950 mΩ ( Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 2.75 A; Improved dv/dt capability | Other | FDD6N50FTM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N25TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD6N25TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50TM_WS
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD6N50TM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6N50TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N20TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D-PAK-3 | FDD6N20TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50TM-F085
onsemi
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1 | 500V N-Channel MOSFET 6A, 0.9Ω, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL, Automotive Qualified | FDD6N50TM-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD6N50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50TM_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD6N50TM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N20TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD6N20TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N25TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.4A, 250V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | FDD6N25TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | FDD6N50TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50FTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FDD6N50FTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50TM_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD6N50TM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N50FTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD6N50FTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N20TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD6N20TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N25TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD6N25TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD6N20TM
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD6N20TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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