Showing 25 of 37 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P106A
onsemi
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1 | RDS(on) = 110 mΩ@ VGS = -10 V ; RDS(on) = 140 mΩ @ VGS = -4.5 V ; VF < 0.62 V @ 2 A ; -3.0A, -60 V ; VF < 0.53 V @ 1 A ; Schottky and MOSFET incorporated into singlepower surface mount SO-8 package; Electrically independent Schottky and MOSFETpinout for design flexibility ; VF < 0.45 V @ 1 A (TJ = 125°C) | Small Outline Packages | FDFS2P106A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P753Z
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 180mΩ at VGS = -4.5V, ID = -1.5A; VF < 500mV @ 1A; VF < 580mV @ 2A; Schottky and MOSFET incorporated into single power surface mount S0-8 package; Electrically independent Schottky and MOSFET pinout for design flexibility; RoHS Compliant; Max rDS(on) = 115mΩ at VGS = -10V, ID = -3.0A | Small Outline Packages | FDFS2P753Z |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P102AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P102AD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P102AS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P102AS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P102AL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P102AL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P103A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.059ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P103A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P102D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P102D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P106A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 | FDFS2P106A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P103
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.3A, 30V, 0.059ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOIC-8 | FDFS2P103 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P103
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.059ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P103 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P106A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P106A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P102AL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P102AL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P102AF011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P102AF011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P106AL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P106AL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P103F011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.059ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P103F011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P106AS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P106AS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P102F011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P102F011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P106A
Rochester Electronics LLC
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1 | 3A, 60V, 0.11ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 | FDFS2P106A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P102S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P102S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P106AF011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P106AF011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P102A
Rochester Electronics LLC
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P102A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P103L86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.059ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P103L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P106AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P106AD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P103D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.059ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P103D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDFS2P102L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDFS2P102L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||