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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA510PZ
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 90mΩ at VGS = –1.5V, ID = –2.0A ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 50mΩ at VGS = –1.8V, ID = –5.5A ; Low profile - 0.8mm maximum - in the new package MicroFET2X2 mm ; HBM ESD protection level > 3KV typical (Note 3) ; Max rDS(on) = 30mΩ at VGS = –4.5V, ID = –7.8A ; Free from halogenated compounds and antimony oxides ; Max rDS(on) = 37mΩ at VGS = –2.5V, ID = –6.6A | Other | FDMA510PZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA507PZ
onsemi
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1 | RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 35 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -5.5 A ; Free from halogenated compounds and antimony oxides ; Max rDS(on) = 25 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -7 A ; HBM ESD protection level > 3.2K V typical (Note3) ; Max rDS(on) = 45 mΩ at VGS = -1.8 V, ID = -4 A ; Low Profile - 0.8 mm maximum - in the package MicroFET2X2 mm ; Max rDS(on) = 24 mΩ at VGS = -5 V, ID = -7.8 A | Other | FDMA507PZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA530PZ
onsemi
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1 | Max. RDS(on) = 65mΩ at VGS = -4.5V, ID = -5.0A ; Free from halogenated compounds and antimony oxides ; Max. RDS(on) = 35mΩ at VGS = -10V, ID = -6.8A ; HBM ESD protection level > 3k V typical (Note 3) ; Low profile -0.8mm maximum -in the new package MicroFET 2X2 mm ; RoHS compliant | Other | FDMA530PZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA520PZ
onsemi
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1 | Last Shipments - Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.6A, 60mΩ | Other | FDMA520PZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA530PZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA530PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA507PZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 20V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA507PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA530PZ-F021
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA530PZ-F021 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA510PZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA510PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA520PZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 20V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA520PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC80TFDMA5.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5MHz Nom | FC80TFDMA5.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC80TFDMA50.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 50MHz Nom | FC80TFDMA50.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||