Showing 25 of 25 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC010N08C
onsemi
|
1 | Low RDS(on) and Qg; Very Low Qrr; Lowers switching noise / EMI; 100% UIL tested | Other | FDMC010N08C |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC012N03
onsemi
|
1 | Termination is Lead-free ; Max rDS(on) = 1.23 mΩ at VGS = 10 V, ID = 35 A ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 1.46 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 32 A ; High performance technology for extremely low rDS(on) | Other | FDMC012N03 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC008N08C
onsemi
|
1 | MSL1 robust package design; 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers; Shielded Gate MOSFET Technology; 100% UIL tested; Max rDS(on) = 19.3 m at VGS = 6 V, ID = 10 A; RoHS Compliant; Max rDS(on) = 7.8 m at VGS = 10 V, ID = 21 A; Lowers switching noise/EMI | Other | FDMC008N08C |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC007N08LCDC
onsemi
|
1 | Shielded Gate MOSFET Technology; Max rDS(on) = 6.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21 A; Max rDS(on) = 11.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A; 5 V Drive Capable; 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers; Lowers switching noise/EMI; MSL1 robust package design; 100% UIL tested; RoHS Compliant; Dualcool capable package | Other | FDMC007N08LCDC |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC007N08LC
onsemi
|
1 | Max rDS(on) = 7.0 m at VGS = 10 V, ID = 21 A; RoHS Compliant; Max rDS(on) = 10.4 m at VGS = 4.5 V, ID = 17 A; 100% UIL tested; Shielded Gate MOSFET Technology; 5V Drive Capable; Lowers switching noise/EMI; 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers; MSL1 robust package design | Other | FDMC007N08LC |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC0202S
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 25V, 0.00315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC0202S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC0310AS-F127
onsemi
|
1 | N-Channel 30 V 21A (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3) | FDMC0310AS-F127 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC013P030Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC013P030Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC035N10X1
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC035N10X1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC010N08LC
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0109ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC010N08LC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC0310AS-F127-L701
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor | FDMC0310AS-F127-L701 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC0310AS
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA | FDMC0310AS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC0223S-P
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC0223S-P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC0225-P
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC0225-P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC0310AS
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA | FDMC0310AS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC0223S
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC0223S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC013P030Z
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC013P030Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC007N30D
onsemi
|
1 | Mosfet Array 30V 46A 1.9W, 2.5W Surface Mount 8-Power33 (3x3) | FDMC007N30D |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC007N30D
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDMC007N30D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC012N03
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor | FDMC012N03 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC7BSFDMC09.999999
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9.999999MHz Nom | FC7BSFDMC09.999999 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC5AGFDMC08.0
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom | FC5AGFDMC08.0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC7BSFDMC06.0
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 6MHz Nom | FC7BSFDMC06.0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC5CGFDMC08.0
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom | FC5CGFDMC08.0 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC7N30D
onsemi
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDMC7N30D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||