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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5630
onsemi
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1 | SuperSOT™ - 3 Provides Low rDS(ON) in SOT23 Footprint; Optimized for use in high frequency DC/DC converters. ; 1.7 A, 60 V; Very fast switching. ; Low gate charge. ; RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V; RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 6 V | SOT23 (3-Pin) | FDN5630 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5632N_F085
onsemi
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1 | N-Channel MOSFET, 60V, 1.6A, | SOT23 (3-Pin) | FDN5632N_F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5632N-F085
onsemi
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1 | Qualified to AEC Q101 ; Typ Qg(TOT) = 9.2 nC at VGS = 10 V; Low Miller Charge ; RoHS Compliant; RDS(on) = 98 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A; RDS(on) = 82 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.7 A | SOT23 (3-Pin) | FDN5632N-F085 |
3
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FDN5618P
onsemi
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1 | High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on); –1.25 A, –60 V; Fast Switching Speed; RDS(ON) = 0.200Ω @ VGS = –10 V; RDS(ON) = 0.230Ω @ VGS = –4.5 V | SOT23 (3-Pin) | FDN5618P |
3
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FDN5618PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN5618PD87Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5630
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3 | FDN5630 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5618P-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN5618P-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5630_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN5630_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5632N_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-3 | FDN5632N_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5630-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN5630-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5630-NB5N008A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN5630-NB5N008A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5618PT/R_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN5618PT/R_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5630
Rochester Electronics LLC
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1 | 1700mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN5630 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5630D87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN5630D87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5618P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN5618P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5618P
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.25A, 60V, 0.17ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN5618P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN5618P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN5618P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||