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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP025N06
onsemi
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1 | Low Gate Charge; RoHS compliant; High Power and Current Handling Capability; RDS(on) = 1.9mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A; High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on); Fast Switching Speed | Transistor Outline, Vertical | FDP025N06 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF-DP-02-1-05.0-S-2-K-TR
SAMTEC
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1 | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm NovaRay Extreme Density & Performance Socket | Other | NVAF-DP-02-1-05.0-S-2-K-TR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF–DP–02–1–05.0–S–2
SAMTEC
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1 | Connector Stacking Receptacle 32 Position 7mm/10mm Stack Height 0.8mm Solder Straight Surface Mount T/R | Other | NVAF–DP–02–1–05.0–S–2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP023N08B_F102
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.00235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP023N08B_F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP027N08MD
Micross Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDP027N08MD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP027N08B_F102
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP027N08B_F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP020N06B-F102
onsemi
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1 | 100% UIL Tested; Soft Reverse Recovery Body Diode; Fast Switching Speed; RDS(on) = 1.65mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 100A; Low Reverse Recovery Charge, Qrr = 194 nC; RoHS Compliant; Low FOM RDS(on) *QG; Enables Highly Efficiency in Synchronous Rectification | FDP020N06B-F102 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP027N08MF
Micross Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDP027N08MF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP025N06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP025N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP027N08B_F102
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 223A, 2.7mΩ, TO-220 3L, 6400-RAIL | FDP027N08B_F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP020N06B_F102
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP020N06B_F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP027N08B-F102
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 223A, 2.7mΩ, TO-220 3L, 800-TUBE | FDP027N08B-F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP023N08B-F102
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 242A, 2.35mΩ, TO-220 3L, 1000-TUBE | FDP023N08B-F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP023N08B_F102
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.00235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | FDP023N08B_F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP027N08MW
Micross Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDP027N08MW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP020N06B_F102
onsemi
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1 | FDP020N06B_F102 N-Channel MOSFET, 120 A, 313 A, 60 V PowerTrench, 3-Pin TO-220 ON Semiconductor | FDP020N06B_F102 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF-DP-02-1-05.0-S-2-K-FR
Samtec Inc
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1 | Board Stacking Connector, 16 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.023 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator, Socket | NVAF-DP-02-1-05.0-S-2-K-FR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF-DP-02-2-05.0-S-2-K-FR
Samtec Inc
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1 | Board Stacking Connector, 32 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.023 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator, Socket | NVAF-DP-02-2-05.0-S-2-K-FR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF-DP-02-2-05.0-S-2-K-TR
SAMTEC
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1 | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm NovaRay Extreme Density & Performance Socket number of banks:2 numbr of rows:2, | NVAF-DP-02-2-05.0-S-2-K-TR |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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