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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP15N40
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, FRFET, 200 V, 18 A, 140 mΩ, TO-220 | Transistor Outline, Vertical | FDP15N40 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP150N10A-F102
onsemi
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1 | Low Gate Charge, QG = 16.2nC ( Typ.); RDS(on) = 12.5mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 50A; High Power and Current Handling Capability; High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on); Fast Switching Speed; RoHS Compliant | Transistor Outline, Vertical | FDP150N10A-F102 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP150N10
onsemi
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1 | RDS(on) = 12mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 49A; High performance trench technology for extremely low RDS(on) ; Fast switching speed; RoHS compliant; Low Gate Charge; High power and current handling capability | Transistor Outline, Vertical | FDP150N10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP150N10A_F102
onsemi
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1 | N-Channel 100 V 50A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220-3 | Transistor Outline, Vertical | FDP150N10A_F102 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP15N65
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 650V, 0.44ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN | FDP15N65 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP15N65
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 650V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP15N65 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP150N10AMWF
Micross Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDP150N10AMWF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP150N10AMD
Micross Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDP150N10AMD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP15N50_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP15N50_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP150N10A-F102
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDP150N10A-F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP15N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP15N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP150N10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP150N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP15N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP15N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP150N10A_F102
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 50A, 15mΩ, TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB (F102), 800/RAIL | FDP150N10A_F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP150N10AMW
Micross Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDP150N10AMW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CBC20HS2000-030FDP1-500-1-VR
ITT Interconnect Solutions
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1 | Board Connector, 30 Contact(s), 5 Row(s), Female, Right Angle, Press Fit Terminal, Receptacle | CBC20HS2000-030FDP1-500-1-VR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CBC20HS2000-030FDP1-500-3-VR
ITT Interconnect Solutions
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1 | Board Connector, 30 Contact(s), 5 Row(s), Female, Right Angle, Press Fit Terminal, Receptacle | CBC20HS2000-030FDP1-500-3-VR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LFDP15N0044A
Murata Manufacturing Co Ltd
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1 | Duplexer | LFDP15N0044A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LFDP15N0049A
Murata Manufacturing Co Ltd
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1 | Duplexer | LFDP15N0049A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CBC20HS2000-030FDP1-500-2-VR
ITT Interconnect Solutions
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1 | Board Connector, 30 Contact(s), 5 Row(s), Female, Right Angle, Press Fit Terminal, Receptacle | CBC20HS2000-030FDP1-500-2-VR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LFDP15N0039A
Murata Manufacturing Co Ltd
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1 | Duplexer | LFDP15N0039A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K4S64323LF-DP15
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 2MX32, 9ns, CMOS, PBGA90 | K4S64323LF-DP15 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||