Showing 25 of 29 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8870
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench 30V, 156A, 4.1mW | Transistor Outline, Vertical | FDP8870 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8874
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 54A, 11.6mΩ | Transistor Outline, Vertical | FDP8874 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8880
onsemi
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1 | Last Shipments - N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 92A, 5.9mΩ | Transistor Outline, Vertical | FDP8880 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8880
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8880 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8860
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8860 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8870
Rochester Electronics LLC
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1 | 19A, 30V, 0.0046ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | FDP8870 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8896_F085
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | FDP8896_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8860
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 30V, 0.0029ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDP8860 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8860
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8860 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8896
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 30V, 0.007ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220AB, 3 PIN | FDP8896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8874_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8874_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8870_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8870_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8876
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8876 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8876
Rochester Electronics LLC
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1 | 70A, 30V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDP8876 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8878
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8878 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8880
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 30V, 0.0145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | FDP8880 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8870-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® 30V, 156A, 4.1mW, TO-220 3L, 400-TUBE, Automotive Qualified | FDP8870-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8874
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 30V, 0.0066ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | FDP8874 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8870_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8870_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8876
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | FDP8876 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8896
onsemi
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1 | High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(ON); RDS(ON) = 7.0mΩ @ VGS = 4.5V, ID=35A; High Power and Current Handling Capability; Low Gate Charge; RDS(ON) = 5.9mΩ @ VGS = 10V, ID=35A; RoHS Compliant | FDP8896 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8896_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8896_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8896
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8896_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8896_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP8874
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP8874 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||