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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF085N10A
onsemi
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1 | RoHS Compliant; High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on); Low Gate Charge, QG = 31nC ( Typ.); Fast Switching Speed; High Power and Current Handling Capability; RDS(on) = 6.5mΩ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 40A | Transistor Outline, Vertical | FDPF085N10A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF045N10A
onsemi
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1 | Fast Switching Speed; RDS(on) = 3.8mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 100A; High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on); Low Gate Charge, QG = 57nC ( Typ.); High Power and Current Handling Capability; RoHS Compliant | Transistor Outline, Vertical | FDPF045N10A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF045N10A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDPF045N10A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF035N06B_F152
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDPF035N06B_F152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF035N06B-F152
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDPF035N06B-F152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF035N06B-F154
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDPF035N06B-F154 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF041N06BL1-F154
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 60V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDPF041N06BL1-F154 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF035N06B_F152
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDPF035N06B_F152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF041N06BL1
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 60V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDPF041N06BL1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF041N06BL1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 60V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDPF041N06BL1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDPF085N10A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDPF085N10A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||