Showing 25 of 59 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3512
onsemi
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1 | High performance trench technology for extremely low RDS(ON); Fast switching speed; 4.0 A, 80 V; RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 10 V; Low gate charge (13nC typical); High power and current handling capability; RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = 6 V | Small Outline Packages | FDS3512 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3590
onsemi
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1 | Fast switching speed ; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON) ; RDS(on) = 39 mΩ @ VGS = 10 V ; Low gate charge ; 6.5 A, 80 V ; RDS(on) = 44 mΩ @ VGS = 6 V ; High power and current handling capability | Small Outline Packages | FDS3590 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3500H6W-P
Mitsubishi Electric
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 12290A, Silicon | FDS3500H6W-P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3590
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3590 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3512F011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3512F011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3580
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3580 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3590
Rochester Electronics LLC
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1 | 6500mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOIC-8 | FDS3590 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3500H4W-P
Mitsubishi Electric
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 9090A, Silicon | FDS3500H4W-P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3580D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3580D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3590D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3590D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3590-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDS3590-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3580
Rochester Electronics LLC
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1 | 7600mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOIC-8 | FDS3580 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3570F011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3570F011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3590S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3590S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3570_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3570_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3512
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3570
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3570 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3570
Rochester Electronics LLC
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1 | 9000mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOIC-8 | FDS3570 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3512
Rochester Electronics LLC
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1 | 4000mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 | FDS3512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3500H5W-P
Mitsubishi Electric
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 10740A, Silicon | FDS3500H5W-P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3590F011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3590F011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3570D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3570D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3580L86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3580L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3572_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 8.9A, 80V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, SO-8 | FDS3572_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS3500SU
Mitsubishi Electric
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1 | Rectifier Diode, 3 Phase, 990A, Silicon | FDS3500SU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||