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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435
Rochester Electronics LLC
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1 | 8800mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 | FDS4435 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDS4435 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435A
onsemi
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1 | MOSFET SO-8 P-CH -30V | Small Outline Packages | FDS4435A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435BZ
onsemi
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1 | High performance trench technology for extremely low rDS(on); Max rDS(on) = 35mΩ at VGS = –4.5V, ID = –6.7A; High power and current handling capability ; Termination is Lead–free and RoHS compliant; Max rDS(on) = 20mΩ at VGS = –10V, ID = –8.8A; HBM ESD protection level of ±3.8KV typical (note 3) ; Extended VGSS range (–25V) for battery applications | Small Outline Packages | FDS4435BZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435A_F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435A_F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435L86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435AF011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435AF011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435AL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435AL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435A-NBAI003A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435A-NBAI003A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435F011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435F011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435A
Rochester Electronics LLC
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1 | 9000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 | FDS4435A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435BZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 8800mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8 | FDS4435BZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435AD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435BZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS4435BZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435A
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FDS4435A with -9.0 A continuous drain current, -10 V gate-source voltage, RDS(on) of 0.018 ohm at VGS = -10 V, and 13 nC typical gate charge, suitable for load and battery switch applications. | FDS4435A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435BZ-F085
onsemi
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1 | P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -8.8A, 20mΩ, SO 8L NB, 2500-REEL, Automotive Qualified | FDS4435BZ-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435BZ_F085
onsemi
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1 | -30V, -8.8A, 20mΩ, SO-8 P-Channel PowerTrench®, SO 8L NB, 5000-TAPE REEL | FDS4435BZ_F085 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4435BZ_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8 | FDS4435BZ_F085 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||