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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A
onsemi
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1 | Ultra-low gate charge ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = 4.5 V ; RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 10 V ; 12.5 A, 30 V ; High power and current handling capability | Small Outline Packages | FDS6680A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A
Rochester Electronics LLC
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1 | 12500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SO-8 | FDS6680A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680AS
onsemi
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1 | Last Shipments - N-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, 14A, 7.5mΩ | Small Outline Packages | FDS6680AS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680AS
Rochester Electronics LLC
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1 | 11500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 | FDS6680AS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680AL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680AL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680AS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680AS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A-NBBI005A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680A-NBBI005A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680AF011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680AF011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A-OLDDIE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680A-OLDDIE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680AD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680AS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680AS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A_F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680A_F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A-NBBI007A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680A-NBBI007A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680AS_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680AS_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A-NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680A-NF073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6680A-SBBI002
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6680A-SBBI002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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