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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT439N
onsemi
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1 | Fast switching speed ; High power and current handling capabitlity in a widely used surface mount package ; 6.3 A, 30 V RDS(on) = 0.045 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(on) = 0.058 Ω @ VGS = 2.5 V | SOT223 (3-Pin) | FDT439N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT434P
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 6.5A, 35mΩ | SOT223 (3-Pin) | FDT434P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT434P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT434P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT434PJ23ZD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT434PJ23ZD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT434P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT434P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT439ND84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT439ND84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT439NJ23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT439NJ23Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT434PD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT434PD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT439NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT439NL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT439N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT439N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT439NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT439NS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT439N
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.3A, 30V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | FDT439N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT434PJ23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT434PJ23Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT434P
Rochester Electronics LLC
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1 | 6A, 20V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | FDT434P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT439N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT439N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHFDT434P
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHFDT434P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHFDT439N
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHFDT439N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||