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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457N
onsemi
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1 | High density cell design for extremely low RDS(ON) ; 5 A, 30 V RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V ; High power and current handling capability in a widely used surface mount package | Other | FDT457N |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT458P
onsemi
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1 | High performance trench technology for extremelylow RDS(on); RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10 V; RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = 4.5 V; -3.4 A, -30 V; High power and current handling capability in awidely used surface mount package; Low gate charge (2.5nC typical); Fast switching speed | SOT223 (3-Pin) | FDT458P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | FDT457NS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT458P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT458P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT459N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT459N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT458PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT458PL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT458PJ23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT458PJ23Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT457N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT458PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT458PS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457ND84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | FDT457ND84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457NJ23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT457NJ23Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT458P
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.4A, 30V, 0.13ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | FDT458P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | FDT457NL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT459N
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT459N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT459NJ23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT459NJ23Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457NJ23Z
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT457NJ23Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457NL84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT457NL84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT458P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT458P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT457N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT459N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT459N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT458PD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT458PD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT459NL84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT459NL84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TFDT4500-TR3
Atmel Corporation
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1 | Interface Circuit | TFDT4500-TR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TFDT4500-TR3
Temic Semiconductors
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1 | Interface Circuit | TFDT4500-TR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TFDT4500-TR3
Vishay Intertechnologies
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1 | Interface Circuit | TFDT4500-TR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||